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韩国政府批准三星电子在华投资40亿美元建新厂
2012-01-05 09:50   来源:世界科技报道 作者:lxg

【ICXO.com编者按】三星中国厂产品线将采用尖端20纳米或以下制造工艺,计划在2013年晚些时候开始量产……

  【世界科技报道-讯】韩国政府周三宣布,已经批准三星电子在中国投资40亿美元,建设一座闪存芯片工厂。这是三星第二座海外芯片工厂。

  根据市场调研公司Gartner发布的数据,今年中国NAND闪存芯片消耗量将占据全球闪存市场的一半,预计规模在290亿美元,到2015年时比重还将增长至55%。

  中国闪存芯片消耗量的稳定增长主要受到华为、中兴等中国制造商的驱动,后者在全球智能机和平板电脑市场的份额也一直在稳步增长。

  三星中国厂产品线将采用尖端20纳米或以下制造工艺,计划在2013年晚些时候开始量产。

  三星尚未决定新工厂的地址,该工厂月晶圆产能在10万片。

  韩国政府要求本国企业在外国投建工厂时需提交申请,以防止本国有价值高新技术的泄露。韩国知识经济部(The Ministry of Knowledge and Economy)在声明中称, 三星将建立旨在防止潜在技术泄露的委员会。

  三星目前是全球最大的NAND闪存芯片制造商,份额为40%,他们主要与日本东芝、韩国海力士和美国美光竞争。【世界科技报道 tech.icxo.com】

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