以上已针对CD格式读取专用780nm域半导体激光设备技术进行说明。780nm域半导体激光是以AlGaAs为结晶材料，但采用InGaAlP材料则可实现DVD格式专用650nm域半导体激光。以下将说明材料的不同，会引起哪些问题与解决办法。

    650nm域半导体激光与780nm域半导体激光相比之下，具有的“温度特性不佳、难以执行高温动作”的课题。

    正如前述内容所示，半导体激光是用禁制域较大的半导体所形成的包层，夹住拥有相当于发光波长之禁制域半导体所构成之活性层的双异性构造，而形成电位墙，再让注入的载体能有效锁入活性层。

    InGaAlp材料与AlGaAs材料相比之下，由于这种电位墙较小，因此当随著温度上升而增加了振汤所需的载体数时，注入的载体就会超过电位墙而发生溢位，因而容易发生停止振汤的问题。

    以650nm域半导体激光来说，在解决上述问题必须先西改变晶片构造。换言之，可以直接运用780nm域半导体激光所介绍的各种技术。目前，正基于这些基本技术，著手进行高功率设备化与低耗电设备化。

    结语：自从80年代后半期开始到90年代初期扩大了CD专用Audio市场后，90年代后半期便随著PC周边市场的急速发展，而让半导体激光元件也进入多样化的发展。今后，半导体激光的开发竞争，势必会随著正式迈入DVD记录型市场、DVD高密度化，而进行白热化的阶段。

    在1972年的LD所开始的技术base的延长线上的光学读取装置，但以完全革新的技术为基础的光学储存装置的开发，即利用近接场光学或利用SIL者等末来型的光学储存装置也于对光学读取装置的研究之中，已开始受到瞩目。此等光学储存装置或许可创造出划时代的另一个世界。或许必须放弃光学储存装置的特徵—可换性，又或许与其他的储存装置进行融合，若是这样的话，反而会对冠以“光”字一事感到犹豫也说不定。