以光学读取装置来说，从光碟反射回来的光，会返回半导体激光晶片的发光点，因此用半导体激光晶片内部谐振器与读取装置的光程（从激光到光碟，再返回激光的来回路程）所构成的外界谐振器会构成出复合谐振器，而产生巨大的杂波。这些杂波对策，则被要求在半导体激光端内实施。但是，半导体激光的返回光杂波对策，会引起扩大驱动电流与驱动温度特性恶化的问题。

    (a)低杂波型

    为了将光锁入形成波导体的线条中，而在电流区块层上采用了光吸收媒介元件。在780nm半导体激光上，则将GaAs视为电流区块层，它可让线条外能接受电流区块层的强烈光吸收，而让光难以渗入线条外，并可阻绝不必要的自然发光成份。反之，藉由电流区块层与活性层之间的适当距离，则可发挥出让光渗入线条外的作用。只要采用极精密膜厚的控制手法，就可同时成立出关系呈现背道而驰现象的作用。如此一来就可实现-130dB/Hz以下的相对杂音强度，进而形成出符合低杂波要求的光学读取装置构造。

    (b)低驱动电力型

    在光锁入形成波导体线条内的电流区块层上，所采用的曲折率媒介低于包层的元件。虽然基本构造同于高功率设备的构造，然而与高功率设备不同的是，抑制渗入包层内的光量，将光波导于活性层附近。如此一来，与使用GaAs电流区块层的上述低杂波型相较之下，则可实现约35％的低耗电效能，同时也让杂波特性符合实用领域。